Увеличение объема карт памяти для мобильных телефонов

Автор: Xnis -
0 2


image-thumb22.pngУченые разработали тонкую полимерную пленку с невероятной плотностью. Новый способ производства значительно быстрее и эффективнее всех предыдущих, а значит, нас ожидает  настоящий прорыв в области микроэлектронных устройств для хранения информации.

В интервью журнала Science исследователи из Массачусетского Университета в г. Амхерст и их коллеги из Калифорнийского Университета сообщили, что ими был разработан новый способ самоорганизации блоковых сополимеров, используемых для хранения электронной информации. Это открытие позволит увеличить объем хранимой информации до 10 раз по сравнению со всеми предшествующими разработками.

Ученые заявили, что новый бездефектный метод позволяет увеличить объем информации до 10 терабит на каждый квадратный дюйм сополимера, что в 10 раз превышает все ранее полученные показатели.

Формирование полистороловых «штырей» происходит независимо друг от друга, благодаря  чему плотность поверхности увеличивается более чем в 15 раз»,- говорит Томас Рассел, руководитель Центра Инженерии и Разработки Материалов Массачусетского Университета. Он руководил проектом вместе с Тинг Су, членом Отделения Инженерии и Материаловедения Калифорнийского Университета.  «Воспользовавшись довольно простой концепцией, мы убили сразу несколько зайцев и получили прекрасные результаты»,- говорит Рассел.

Концепция заключается в более тесной организации атомов, вследствие чего и был получен сополимер беспрецедентной плотности, вмещающий больший объем информации, чем предшествующие сополимеры.

В качестве основного слоя сополимеров  ученые использовали срез промышленного сапфира. Затем кристалл нагревался до температуры 1300-1500 градусов Цельсия в течение 24 часов. Вследствие нагревания до такой высокой температуры на поверхности сапфира образовалось множество параллельных гребней, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга. Затем на эту ровную матрицу был нанесен тонкий слой пленки, которая ложилась ровной матрицей в долинах между гребней.

Кроме того, варьируя температуру отжига, ученым удалось изменить угол и высоту гребней, а следовательно и глубину впадин между ними. В результате впадины, в которых и располагается компьютерная память, стали располагаться более плотно.

Этот научный проект  осуществлялся при поддержке Национального Научного Фонда и Министерства Энергетики.

Я думаю, что подобный метод создания четко организованных наноскопических элементов произведет революцию в области устройств  для хранения информации, а возможно, и во многих других областях промышленности»,- заявил Рассел.

Он отметил, что результаты всех предыдущих экспериментов по созданию четко-организованных наноструктур были улучшены как минимум в 15 раз. «И это еще не предел»,- заявил Рассел.

Это открытие команды ученых Массачусетского и Калифорнийского Университетов ознаменовало настоящий прорыв в использовании  самоорганизации полимеров для создания супер-плотных ячеек в тонких пленках»,- утверждает Уильям Бриттен, руководитель проекта от Национального Научного Фонда. «Важнее всего то, что такая простая кристаллическая решетка станет ядром  карт памяти нового поколения»,- говорит он.

Автор: Евгения Яхнис
Специально для HTC-review.ru — информационного сайта о коммуникаторах HTC


NO COMMENTS

Прокомментировать